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pISSN : 1225-1429 / eISSN : 2234-5078

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Characterization of In(Al)GaN layer grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy

Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
Abbr : J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol.
2006, 16(4), pp.157-161
Publisher : The Korea Association Of Crystal Growth, Inc.
Research Area : Materials Science and Engineering

SUNLYEONG HWANG 1 JIho Chang 2 Hyung Soo Ahn 3 KYOUNG HWA KIM 4 Min Yang 5 장근숙 6 전헌수 7 최원진 8 김흥승 9 배동성 10 Kim Suck Whan 11

1한국해양대학교
2한국해양대학교
3한국해양대학교
4한국해양대학교
5한국해양대학교
6한국해양대학교
7한국해양대학교
8한국해양대학교
9한국해양대학교
10한국기초과학지원연구원
11안동대학교

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